具有杂散磁场补偿的真3D霍尔效应位置传感器

TDK-Micronas 应用部经理陈兴鹏表示，时下，市场对磁场传感器的要求日益攀高，特别是对杂散磁场补偿的要求，这给磁传感器的设计带来了新的挑战。同时，人们对自动驾驶功能、更高的功能安全要求以及对数字接口日益增长的需求呼唤一种具有更多功能和更高灵活性的新型传感器问世。鉴于此，TDK 推出一种具有杂散磁场补偿功能且采用灵活结构设计的独特 3D 霍尔效应位置传感器。

磁场传感器，尤其是霍尔效应传感器，被广泛应用于工业和汽车电子领域。其主要原因是，它们经济有效地集成了许多附加功能。近年来，除了霍尔效应开关和一维传感器外，越来越多的二维/三维传感器被设计应用到先进的汽车电子领域。这些传感器必须满足日益增长的需求， 例如，ISO 26262 中关于自动驾驶应用的更高安全要求。除此之外，现代汽车具有越来越多的高精度控制的执行器，它们必须提供数字接口（如 SENT、SPI 和 PSI5）、低功率模式和 3D 能力。